It will be shipped from our warehouse between Tuesday, July 02 and Wednesday, July 03.
You will receive it anywhere in United States between 1 and 3 business days after shipment.
Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej (in Polaco)
Bakhyshov, Rahman
Synopsis "Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej (in Polaco)"
Niniejsza praca jest poświęcona analizie termodynamicznej procesów fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych związku pólprzewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w ukladzie przeplywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu procesów technologicznych w celu prognozowania możliwych wariantów technologicznych i określenia optymalnych warunków syntezy tego związku. Podano wyniki badań nad definiowaniem i obliczaniem parametrów termodynamicznych poszczególnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu procesów wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano związek pomiędzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi źródlami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametrów technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w ukladzie transportu gazu przeplywowego z wydzielonymi źródlami galu i selenu.