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portada Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS (in Italian)
Type
Physical Book
Language
Italiano
Pages
68
Format
Paperback
Dimensions
22.9 x 15.2 x 0.4 cm
Weight
0.11 kg.
ISBN13
9786206433811

Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS (in Italian)

Rajesh T. V. (Author) · Jagadeesh Chandra S. V. (Author) · V. V. Ramana Ch (Author) · Edizioni Sapienza · Paperback

Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS (in Italian) - T. V., Rajesh ; S. V., Jagadeesh Chandra ; Ch, V. V. Ramana

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Synopsis "Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS (in Italian)"

I dielettrici ad alta permittività e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Tuttavia, l'ossido di afnio (HfO2) è un candidato promettente per la prossima generazione di dielettrici di gate grazie alla sua costante dielettrica relativamente alta 25, all'ampio bandgap, alla buona stabilità termica e all'energia libera di reazione relativamente alta con il materiale del substrato. Recentemente, i dispositivi elettronici basati sul Ge hanno riguadagnato una notevole attenzione e il Ge può fornire soluzioni ai principali problemi che la tecnologia Si sta affrontando per i dispositivi CMOS avanzati; ciò è dovuto principalmente alla maggiore mo-bilità sia delle buche che degli elettroni nel substrato Ge. Questo libro è quindi utile ai lettori per conoscere alcuni aspetti significativi della tecnologia Ge per i dispositivi ad alta frequenza.

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The book is written in Italian.
The binding of this edition is Paperback.

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