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Etude des propriétés optoélectroniques des PQs GaAsNBi/GaAs dopés n (in French)
Bilel, Chakroun ; Rebey, Ahmed
Synopsis "Etude des propriétés optoélectroniques des PQs GaAsNBi/GaAs dopés n (in French)"
Les matériaux à haut désaccord d'électronégativité HMAs (High Mismatched Alloys), tels que III-V-N-Bi, présentent des propriétés électriques et optiques adaptées à la réalisation des dispositifs optoélectroniques. Les quaternaires GaNAsBi dévoilent une bonne stabilité thermique de ces propriétés physiques lors de fonctionnement à température variable. Actuellement, le développement technologique de techniques d'élaboration, telles que l'EJM et l'EPVOM, permet d'atteindre des compositions autour de 10% en Bi et ouvre la voie devant l'épitaxie d'une nouvelle génération des hétérostructures quantiques à base de GaAsBi, GaAsN et GaNAsBi. Malgré la nature intrinsèque de ces structures quantiques, les études menées à présent montrent qu'elles peuvent être des candidates potentielles dans la fabrication des photodétecteurs ou émetteurs thermiquement stables et opérants dans les longueurs d'ondes 1,3 et 1,55 m destinées aux télécommunications optiques. Par comparaison aux travaux réalisés sur les matériaux III-V, il est vital que les choix du taux de dopage ainsi que la zone à doper dans une structure conçue pour une application donnée soient parmi les facteurs à optimiser.
